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BPW85B中文资料

BPW85B图片

BPW85B外观图

  • 大小:99KB
  • 厂家:
  • 描述:Phototransistor 850nm Top View Radial
  • 制造商:Vishay
  • 产品种类:Phototransistors
  • 最大功率耗散:100 mW
  • 最大暗电流:200 nA
  • 封装 / 箱体:T-1
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V
  • 集电极—射极饱和电压:0.3 V
  • 最大工作温度:+ 100 C
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 封装:Bulk
  • 产品:Phototransistor
  • 工厂包装数量:5000
  • 类型:Chip
  • 波长:850 nm

BPW85B供应商

更新时间:2023-01-10 06:39:13
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